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W947D2HBJX5E TR
- Modello di prodotti:
- W947D2HBJX5E TR
- fabbricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descrizione:
- IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 38874 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- W947D2HBJX5E TR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 15ns |
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnologia: | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 90-VFBGA (8x13) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 90-TFBGA |
| Altri nomi: | W947D2HBJX5E TR-ND W947D2HBJX5ETR |
| temperatura di esercizio: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 128Mb (4M x 32) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13) |
| Frequenza dell'orologio: | 200MHz |
| Tempo di accesso: | 5ns |
| Email: | [email protected] |
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