Tarjeta de línea

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation es una compañía de circuitos integrados de memoria dedicada al diseño, fabricación y servicio de ventas para brindar a sus clientes globales soluciones de memoria de alta calidad. Las líneas de productos de Winbond incluyen Code Storage Flash Memory, Serial y Parallel NAND, Specialty DRAM y Mobile DRAM.
Los productos Winbond son ampliamente utilizados por las empresas en los mercados verticales de IoT, como computación, dispositivos multimedia conectados, automóviles, sistemas de redes e industriales. Winbond ofrece productos de DRAM y productos automotrices e industriales de grado y DRAM con soporte de longevidad. Winbond tiene aproximadamente 2,200 empleados en todo el mundo, que incluye un FAB de 12 pulgadas en su sede en Taichung, Taiwán.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
W29GL512SH9B Image W29GL512SH9B IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA Investigación
W25Q128FVEJQ IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W25Q80BLUXIG TR Image W25Q80BLUXIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8USON Investigación
W25X80AVDAIZ IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8DIP Investigación
W631GG6MB-12 TR Image W631GG6MB-12 TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Investigación
W25Q40EWSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25B40VSNIG T&R IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC Investigación
W25Q64FVSSJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W25Q32FVDAIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP Investigación
W25Q80DVZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W25Q128JVSIM IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC Investigación
W25Q80DLSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25X40VSNIG T&R IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC Investigación
W25Q32FVTCJF TR IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W25Q128FVSIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q32BVTBJG IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W9812G6JB-6 Image W9812G6JB-6 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Investigación
W631GU8MB11I TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA Investigación
W25Q16FWSNIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W631GG6KB-12 Image W631GG6KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Investigación
W25Q80EWSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q32FWSSIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25X16AVSSIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC Investigación
W9825G2JB-6 Image W9825G2JB-6 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Investigación
W25X40CLSNIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W98AD6KBGX6E IC MEMORY SDRAM 1GB 54VFBGA Investigación
W29N02GZBIBA Image W29N02GZBIBA IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA Investigación
W94AD6KBHX5E TR Image W94AD6KBHX5E TR IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Investigación
W25Q64FVZPIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W25Q64DWZPIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W25Q16DVSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q128JVEIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Investigación
W25Q16DVSSJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Investigación
W25Q16DVZPJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Investigación
W25Q32FVZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W25Q16CLSVIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8VSOP Investigación
W25Q80BVDAIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP Investigación
W947D2HBJX5E TR Image W947D2HBJX5E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Investigación
W25Q128JVCIM Image W25Q128JVCIM IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Investigación
W972GG8JB-18 TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Investigación
W25X80VZPIG T&R IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8WSON Investigación
W25Q16DWZPIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W29N01GVBIAA Image W29N01GVBIAA IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA Investigación
W29GL128PH9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Investigación
W978H6KBQX2E IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA Investigación
W9425G6EH-5 Image W9425G6EH-5 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Investigación
W25X20CLSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q64FVSSJF IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W25Q32JVSFIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 16SOIC Investigación
W632GG8MB-09 Image W632GG8MB-09 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ Investigación
registros 1,271