FGD3N60LSDTM-T
型號:
FGD3N60LSDTM-T
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
INTEGRATED CIRCUIT
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
54906 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
FGD3N60LSDTM-T.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:1.5V @ 10V, 3A
測試條件:480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Td(開/關)@ 25°C:40ns/600ns
開關能量:250µJ (on), 1mJ (off)
供應商設備封裝:TO-252, (D-Pak)
系列:-
反向恢復時間(trr):234ns
功率 - 最大:40W
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:-
柵極電荷:12.5nC
詳細說明:IGBT 600V 6A 40W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
電流 - 集電極脈衝(ICM):25A
電流 - 集電極(Ic)(最大):6A
Email:[email protected]

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