FGD3N60LSDTM-T
Modello di prodotti:
FGD3N60LSDTM-T
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
INTEGRATED CIRCUIT
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
54906 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FGD3N60LSDTM-T.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:1.5V @ 10V, 3A
Condizione di test:480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Td (on / off) @ 25 ° C:40ns/600ns
di scambio energetico:250µJ (on), 1mJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):234ns
Potenza - Max:40W
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
carica gate:12.5nC
Descrizione dettagliata:IGBT 600V 6A 40W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - collettore Pulsed (Icm):25A
Corrente - collettore (Ic) (max):6A
Email:[email protected]

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