FGD3N60LSDTM-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FGD3N60LSDTM-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FGD3N60LSDTM-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FGD3N60LSDTM-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FGD3N60LSDTM-T
- Part Number:
- FGD3N60LSDTM-T
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- INTEGRATED CIRCUIT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54906 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FGD3N60LSDTM-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 600V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 1.5V @ 10V, 3A |
| Stan testu: | 480V, 3A, 470 Ohm, 10V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 40ns/600ns |
| Przełączanie Energy: | 250µJ (on), 1mJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-252, (D-Pak) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 234ns |
| Moc - Max: | 40W |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| brama Charge: | 12.5nC |
| szczegółowy opis: | IGBT 600V 6A 40W Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 25A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 6A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FGD3N60LSDTM-T
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025