FGD3N60LSDTM-T
Modelo do Produto:
FGD3N60LSDTM-T
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
INTEGRATED CIRCUIT
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
54906 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FGD3N60LSDTM-T.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.5V @ 10V, 3A
Condição de teste:480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:40ns/600ns
Alternando Energia:250µJ (on), 1mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252, (D-Pak)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):234ns
Power - Max:40W
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:12.5nC
Descrição detalhada:IGBT 600V 6A 40W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Atual - Collector Pulsada (ICM):25A
Atual - Collector (Ic) (Max):6A
Email:[email protected]

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