FGD3N60LSDTM-T je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FGD3N60LSDTM-T, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FGD3N60LSDTM-T e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FGD3N60LSDTM-T s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FGD3N60LSDTM-T
- Part Number:
- FGD3N60LSDTM-T
- Popis:
- INTEGRATED CIRCUIT
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 54906 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FGD3N60LSDTM-T.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 600V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 1.5V @ 10V, 3A |
| Zkušební podmínky: | 480V, 3A, 470 Ohm, 10V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 40ns/600ns |
| přepínání energie: | 250µJ (on), 1mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-252, (D-Pak) |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 234ns |
| Power - Max: | 40W |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | - |
| Gate Charge: | 12.5nC |
| Detailní popis: | IGBT 600V 6A 40W Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 25A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 6A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FGD3N60LSDTM-T
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS