Το FGD3N60LSDTM-T είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FGD3N60LSDTM-T, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FGD3N60LSDTM-T μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FGD3N60LSDTM-T με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
FGD3N60LSDTM-T
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FGD3N60LSDTM-T
- Κατασκευαστής:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- INTEGRATED CIRCUIT
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54906 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- FGD3N60LSDTM-T.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.5V @ 10V, 3A |
| Test Condition: | 480V, 3A, 470 Ohm, 10V |
| Td (on / off) στους 25 ° C: | 40ns/600ns |
| εναλλαγή Ενέργειας: | 250µJ (on), 1mJ (off) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-252, (D-Pak) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 234ns |
| Ισχύς - Max: | 40W |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Standard |
| IGBT Τύπος: | - |
| πύλη Χρέωση: | 12.5nC |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT 600V 6A 40W Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM): | 25A |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 6A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FGD3N60LSDTM-T
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;