FGD3N60LSDTM-T
Número de pieza:
FGD3N60LSDTM-T
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
INTEGRATED CIRCUIT
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
54906 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FGD3N60LSDTM-T.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Tensión - Colector-emisor (máx):600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:1.5V @ 10V, 3A
Condición de prueba:480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:40ns/600ns
Cambio de Energía:250µJ (on), 1mJ (off)
Paquete del dispositivo:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):234ns
Potencia - Max:40W
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
puerta de carga:12.5nC
Descripción detallada:IGBT 600V 6A 40W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Colector Pulsada (ICM):25A
Corriente - colector (Ic) (Max):6A
Email:[email protected]

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