ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT45GR65BSCD10
APT45GR65BSCD10
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT45GR65BSCD10
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
47214 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT45GR65BSCD10.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT45GR65BSCD10 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT45GR65BSCD10 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT45GR65BSCD10 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT45GR65BSCD10 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):650V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.4V @ 15V, 45A
ทดสอบสภาพ:433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:15ns/100ns
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247
ชุด:-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):80ns
เพาเวอร์ - แม็กซ์:543W
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:203nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):224A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):118A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT45GR65BSCD10

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT45GP120B2DQ2G Image APT45GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 113A 625W TMAX การสอบสวน
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 การสอบสวน
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK การสอบสวน
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 การสอบสวน
APT44GA60BD30C Image APT44GA60BD30C Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO247 การสอบสวน
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 การสอบสวน
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 การสอบสวน
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 การสอบสวน
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 การสอบสวน
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 การสอบสวน
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 การสอบสวน
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT44GA60BD30 Image APT44GA60BD30 Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 การสอบสวน
APT44GA60B Image APT44GA60B Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 การสอบสวน
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 การสอบสวน
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 การสอบสวน
APT44F80L Image APT44F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 การสอบสวน

ข่าว Latest