ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT44F80L
APT44F80L
APT44F80L
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT44F80L
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
45491 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT44F80L.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT44F80L พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT44F80L เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT44F80L ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT44F80L ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-264
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:240 mOhm @ 24A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1135W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-264-3, TO-264AA
ชื่ออื่น:APT44F80LMI
APT44F80LMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:21 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:9330pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:305nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):800V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 800V 47A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:47A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT44F80L

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT41M80L Image APT41M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 43A TO-264 การสอบสวน
APT45GP120B2DQ2G Image APT45GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 113A 625W TMAX การสอบสวน
APT43F60B2 Image APT43F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX การสอบสวน
APT44GA60BD30 Image APT44GA60BD30 Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 การสอบสวน
APT43F60L Image APT43F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 การสอบสวน
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT44F80B2 Image APT44F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX การสอบสวน
APT42F50S Image APT42F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK การสอบสวน
APT43GA90BD30 Image APT43GA90BD30 Microsemi IGBT 900V 78A 337W TO247 การสอบสวน
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 การสอบสวน
APT43M60B2 Image APT43M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX การสอบสวน
APT44GA60B Image APT44GA60B Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 การสอบสวน
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 การสอบสวน
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT43GA90B Image APT43GA90B Microsemi IGBT 900V 78A 337W TO-247 การสอบสวน
APT42F50B Image APT42F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 42A TO-247 การสอบสวน
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT44GA60BD30C Image APT44GA60BD30C Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO247 การสอบสวน
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT43M60L Image APT43M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 การสอบสวน

ข่าว Latest