ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT45GP120B2DQ2G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
33082 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT45GP120B2DQ2G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT45GP120B2DQ2G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT45GP120B2DQ2G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT45GP120B2DQ2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT45GP120B2DQ2G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.9V @ 15V, 45A
ทดสอบสภาพ:600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:18ns/100ns
การสลับพลังงาน:900µJ (on), 905µJ (off)
ชุด:POWER MOS 7®
เพาเวอร์ - แม็กซ์:625W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3 Variant
ชื่ออื่น:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:32 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:PT
ค่าใช้จ่ายประตู:185nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):170A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):113A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT45GP120B2DQ2G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT44F80L Image APT44F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 การสอบสวน
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT44GA60B Image APT44GA60B Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 การสอบสวน
APT43M60L Image APT43M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 การสอบสวน
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT44F80B2 Image APT44F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX การสอบสวน
APT44GA60BD30 Image APT44GA60BD30 Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 การสอบสวน
APT43M60B2 Image APT43M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX การสอบสวน
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 การสอบสวน
APT43GA90B Image APT43GA90B Microsemi IGBT 900V 78A 337W TO-247 การสอบสวน
APT44GA60BD30C Image APT44GA60BD30C Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO247 การสอบสวน
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT43GA90BD30 Image APT43GA90BD30 Microsemi IGBT 900V 78A 337W TO247 การสอบสวน
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 การสอบสวน
APT43F60L Image APT43F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 การสอบสวน
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 การสอบสวน
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 การสอบสวน
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 การสอบสวน
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน

ข่าว Latest