APT45GP120B2DQ2G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT45GP120B2DQ2G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT45GP120B2DQ2G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT45GP120B2DQ2G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT45GP120B2DQ2G
- رقم القطعة:
- APT45GP120B2DQ2G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 113A 625W TMAX
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33082 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT45GP120B2DQ2G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.9V @ 15V, 45A |
| اختبار حالة: | 600V, 45A, 5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 18ns/100ns |
| تحويل الطاقة: | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| سلسلة: | POWER MOS 7® |
| السلطة - ماكس: | 625W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 Variant |
| اسماء اخرى: | APT45GP120B2DQ2GMI APT45GP120B2DQ2GMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 185nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 170A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 113A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT45GP120B2DQ2G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT44F80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 | تحقيق |
 |
APT45GR65B2DU30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
 |
APT44GA60B | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | تحقيق |
|
APT43M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | تحقيق |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
 |
APT44F80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX | تحقيق |
|
APT44GA60BD30 | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | تحقيق |
|
APT43M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | تحقيق |
 |
APT47F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | تحقيق |
|
APT43GA90B | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO-247 | تحقيق |
|
APT44GA60BD30C | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO247 | تحقيق |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
|
APT43GA90BD30 | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO247 | تحقيق |
|
APT45GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | تحقيق |
|
APT43F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | تحقيق |
 |
APT46GA90JD40 | Microsemi | IGBT 900V 87A 284W SOT-227 | تحقيق |
|
APT45GR65B | Microsemi | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | تحقيق |
|
APT45M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT45GP120JDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | تحقيق |
|
APT45GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS