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APT45GP120B2DQ2G
- Modello di prodotti:
- APT45GP120B2DQ2G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 1200V 113A 625W TMAX
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 33082 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT45GP120B2DQ2G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 3.9V @ 15V, 45A |
| Condizione di test: | 600V, 45A, 5 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 18ns/100ns |
| di scambio energetico: | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Potenza - Max: | 625W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| Altri nomi: | APT45GP120B2DQ2GMI APT45GP120B2DQ2GMI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 185nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 170A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 113A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT45GP120B2DQ2G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT44F80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT45GR65B2DU30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
 |
APT44GA60B | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | Inchiesta |
|
APT43M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | Inchiesta |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
 |
APT44F80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX | Inchiesta |
|
APT44GA60BD30 | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | Inchiesta |
|
APT43M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT47F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT43GA90B | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO-247 | Inchiesta |
|
APT44GA60BD30C | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO247 | Inchiesta |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
|
APT43GA90BD30 | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO247 | Inchiesta |
|
APT45GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | Inchiesta |
|
APT43F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT46GA90JD40 | Microsemi | IGBT 900V 87A 284W SOT-227 | Inchiesta |
|
APT45GR65B | Microsemi | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | Inchiesta |
|
APT45M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT45GP120JDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Inchiesta |
|
APT45GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Inchiesta |
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