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APT45GR65B
- Modello di prodotti:
- APT45GR65B
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 650V 92A 357W TO-247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 46498 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT45GR65B.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 650V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.4V @ 15V, 45A |
| Condizione di test: | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 15ns/100ns |
| di scambio energetico: | 900µJ (on), 580µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 357W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 28 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 203nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 168A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 92A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT45GR65B
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT45GR65B2DU30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
 |
APT47N60BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | Inchiesta |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
 |
APT47N60SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK | Inchiesta |
 |
APT47F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT45GP120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | Inchiesta |
 |
APT45GP120JDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Inchiesta |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
 |
APT46GA90JD40 | Microsemi | IGBT 900V 87A 284W SOT-227 | Inchiesta |
|
APT45M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT44F80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 | Inchiesta |
|
APT47M60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT45GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | Inchiesta |
|
APT45GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Inchiesta |
|
APT44GA60BD30C | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO247 | Inchiesta |
|
APT44GA60B | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | Inchiesta |
|
APT47GA60JD40 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 87A 283W SOT-227 | Inchiesta |
|
APT44F80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX | Inchiesta |
|
APT43M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | Inchiesta |
|
APT44GA60BD30 | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | Inchiesta |
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