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APT47GA60JD40
- Modello di prodotti:
- APT47GA60JD40
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 87A 283W SOT-227
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 49162 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT47GA60JD40.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 87A |
| Tensione - Ripartizione: | ISOTOP® |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | PT |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 600V |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Potenza - Max: | 283W |
| Polarizzazione: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Termistore NTC: | Standard |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APT47GA60JD40 |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: | 2.5V @ 15V, 47A |
| Ingresso: | 6.32nF @ 25V |
| Descrizione espansione: | IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP® |
| Descrizione: | IGBT 600V 87A 283W SOT-227 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 275µA |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | No |
| Finitura contatto: | Single |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT47GA60JD40
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT48M80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT46GA90JD40 | Microsemi | IGBT 900V 87A 284W SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT47N60BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT47N65SCS3G | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | Inchiesta |
|
APT45GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | Inchiesta |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
|
APT5010B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Inchiesta |
|
APT47N65BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | Inchiesta |
|
APT45GP120JDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Inchiesta |
|
APT45GR65B2DU30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
|
APT45M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT48M80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 | Inchiesta |
|
APT4M120K | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 | Inchiesta |
|
APT45GR65B | Microsemi | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | Inchiesta |
 |
APT47M60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT47N60SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK | Inchiesta |
|
APT47F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
|
APT4F120K | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 | Inchiesta |
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