ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล > APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT47GA60JD40
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 600V 87A 283W SOT-227
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
49162 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT47GA60JD40.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT47GA60JD40 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT47GA60JD40 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT47GA60JD40 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT47GA60JD40 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):87A
แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย:ISOTOP®
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:PT
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:600V
ชุด:POWER MOS 8™
เพาเวอร์ - แม็กซ์:283W
โพลาไรซ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:Standard
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:APT47GA60JD40
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:2.5V @ 15V, 47A
อินพุต:6.32nF @ 25V
ขยายคำอธิบาย:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
ลักษณะ:IGBT 600V 87A 283W SOT-227
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:275µA
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):No
ติดต่อเสร็จสิ้น:Single
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT47GA60JD40

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX การสอบสวน
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 การสอบสวน
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 การสอบสวน
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 การสอบสวน
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 การสอบสวน
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT5010B2FLLG Image APT5010B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX การสอบสวน
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 การสอบสวน
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 การสอบสวน
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 การสอบสวน
APT4M120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 การสอบสวน
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 การสอบสวน
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 การสอบสวน
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK การสอบสวน
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 การสอบสวน
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 การสอบสวน

ข่าว Latest