Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - IGBT - Modul > APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
Nomor bagian:
APT47GA60JD40
Pabrikan:
Microsemi
Deskripsi:
IGBT 600V 87A 283W SOT-227
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
49162 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
APT47GA60JD40.pdf
Penyelidikan

pengantar

APT47GA60JD40 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk APT47GA60JD40, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk APT47GA60JD40 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli APT47GA60JD40 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Tegangan - Kolektor Emitter Breakdown (Max):87A
Tegangan - Breakdown:ISOTOP®
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:PT
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:600V
Seri:POWER MOS 8™
Listrik - Max:283W
Polarisasi:SOT-227-4, miniBLOC
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC termistor:Standard
mount Jenis:Chassis Mount
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL):1 (Unlimited)
Nomor Bagian Produsen:APT47GA60JD40
Masukan Kapasitansi (Cies) @ VCE:2.5V @ 15V, 47A
Memasukkan:6.32nF @ 25V
Deskripsi yang Diperluas:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
Deskripsi:IGBT 600V 87A 283W SOT-227
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:275µA
Saat ini - Kolektor Pulsed (ICM):No
Hubungi Finish:Single
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk APT47GA60JD40

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Penyelidikan
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX Penyelidikan
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Penyelidikan
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Penyelidikan
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Penyelidikan
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 Penyelidikan
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Penyelidikan
APT5010B2FLLG Image APT5010B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Penyelidikan
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Penyelidikan
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Penyelidikan
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Penyelidikan
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Penyelidikan
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 Penyelidikan
APT4M120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 Penyelidikan
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 Penyelidikan
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Penyelidikan
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Penyelidikan
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Penyelidikan
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Penyelidikan
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Penyelidikan

Latest Berita