Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > APT47N65BC3G
APT47N65BC3G
APT47N65BC3G
Nomor bagian:
APT47N65BC3G
Pabrikan:
Microsemi
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
40854 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
APT47N65BC3G.pdf
Penyelidikan

pengantar

APT47N65BC3G tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk APT47N65BC3G, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk APT47N65BC3G melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli APT47N65BC3G dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 2.7mA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:TO-247 [B]
Seri:CoolMOS™
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 30A, 10V
Power Disipasi (Max):417W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-247-3
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time:18 Weeks
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:7015pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:260nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):650V
Detil Deskripsi:N-Channel 650V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:47A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk APT47N65BC3G

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Penyelidikan
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Penyelidikan
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Penyelidikan
APT4M120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 Penyelidikan
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Penyelidikan
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Penyelidikan
APT5010B2FLLG Image APT5010B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Penyelidikan
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Penyelidikan
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Penyelidikan
APT5010B2LLG Image APT5010B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Penyelidikan
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Penyelidikan
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 Penyelidikan
APT5010JLLU3 Image APT5010JLLU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 Penyelidikan
APT5010JVRU2 Image APT5010JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 Penyelidikan
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX Penyelidikan
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Penyelidikan
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Penyelidikan
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 Penyelidikan
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Penyelidikan
APT5010JLLU2 Image APT5010JLLU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 Penyelidikan

Latest Berita