ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT47F60J
APT47F60J
APT47F60J
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT47F60J
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
23023 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT47F60J.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT47F60J พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT47F60J เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT47F60J ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT47F60J ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOTOP®
ชุด:POWER MOS 8™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 33A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):540W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:27 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:13190pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:330nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 600V 49A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:49A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT47F60J

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 การสอบสวน
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 การสอบสวน
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 การสอบสวน
APT45GP120B2DQ2G Image APT45GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 113A 625W TMAX การสอบสวน
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX การสอบสวน
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 การสอบสวน
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 การสอบสวน
APT4M120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 การสอบสวน
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 การสอบสวน
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 การสอบสวน
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 การสอบสวน
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 การสอบสวน
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 การสอบสวน
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 การสอบสวน
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK การสอบสวน
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน

ข่าว Latest