Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT47F60J
APT47F60J
APT47F60J
Modèle de produit:
APT47F60J
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
23023 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT47F60J.pdf
Enquête

introduction

APT47F60J est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour APT47F60J, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour APT47F60J par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez APT47F60J avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ISOTOP®
Séries:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 33A, 10V
Dissipation de puissance (max):540W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:27 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:13190pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:330nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 49A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:49A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT47F60J

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Enquête
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Enquête
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Enquête
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Enquête
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Enquête
APT45GP120B2DQ2G Image APT45GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 113A 625W TMAX Enquête
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX Enquête
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 Enquête
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 Enquête
APT4M120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 Enquête
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Enquête
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Enquête
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Enquête
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Enquête
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Enquête
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 Enquête
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 Enquête
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Enquête
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Enquête
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Enquête

Latest Nouvelles