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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT45GR65B2DU30
APT45GR65B2DU30
Modèle de produit:
APT45GR65B2DU30
Fabricant:
Microsemi
La description:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
56816 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT45GR65B2DU30.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 45A
Condition de test:433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:15ns/100ns
Package composant fournisseur:T-MAX™ [B2]
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):80ns
Puissance - Max:543W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:28 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT
gate charge:203nC
Description détaillée:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX™ [B2]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):224A
Courant - Collecteur (Ic) (max):118A
Email:[email protected]

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