Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > APT45GP120JDQ2
APT45GP120JDQ2
APT45GP120JDQ2
Modèle de produit:
APT45GP120JDQ2
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
39208 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APT45GP120JDQ2.pdf2.APT45GP120JDQ2.pdf
Enquête

introduction

APT45GP120JDQ2 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour APT45GP120JDQ2, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour APT45GP120JDQ2 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez APT45GP120JDQ2 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 45A
Package composant fournisseur:ISOTOP®
Séries:POWER MOS 7®
Puissance - Max:329W
Package / Boîte:ISOTOP
Autres noms:APT45GP120JDQ2MI
APT45GP120JDQ2MI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:4nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:PT
Description détaillée:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Collecteur Cutoff (Max):750µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):75A
Configuration:Single
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT45GP120JDQ2

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Enquête
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Enquête
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Enquête
APT44F80L Image APT44F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 Enquête
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 Enquête
APT43M60L Image APT43M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 Enquête
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Enquête
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 Enquête
APT43M60B2 Image APT43M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX Enquête
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Enquête
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Enquête
APT44GA60B Image APT44GA60B Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 Enquête
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Enquête
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Enquête
APT44GA60BD30C Image APT44GA60BD30C Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO247 Enquête
APT45GP120B2DQ2G Image APT45GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 113A 625W TMAX Enquête
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 Enquête
APT44GA60BD30 Image APT44GA60BD30 Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 Enquête
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Enquête
APT44F80B2 Image APT44F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX Enquête

Latest Nouvelles