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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
Modèle de produit:
APT45GP120B2DQ2G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
33082 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT45GP120B2DQ2G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 45A
Condition de test:600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:18ns/100ns
énergie de commutation:900µJ (on), 905µJ (off)
Séries:POWER MOS 7®
Puissance - Max:625W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Autres noms:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:PT
gate charge:185nC
Description détaillée:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm):170A
Courant - Collecteur (Ic) (max):113A
Email:[email protected]

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