Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
Αριθμός εξαρτήματος:
APT45GP120B2DQ2G
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
33082 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT45GP120B2DQ2G.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT45GP120B2DQ2G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT45GP120B2DQ2G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT45GP120B2DQ2G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT45GP120B2DQ2G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 45A
Test Condition:600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:18ns/100ns
εναλλαγή Ενέργειας:900µJ (on), 905µJ (off)
Σειρά:POWER MOS 7®
Ισχύς - Max:625W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3 Variant
Αλλα ονόματα:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:32 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:PT
πύλη Χρέωση:185nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):170A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):113A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT45GP120B2DQ2G

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT44F80L Image APT44F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 Έρευνα
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT44GA60B Image APT44GA60B Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 Έρευνα
APT43M60L Image APT43M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 Έρευνα
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT44F80B2 Image APT44F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX Έρευνα
APT44GA60BD30 Image APT44GA60BD30 Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 Έρευνα
APT43M60B2 Image APT43M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX Έρευνα
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Έρευνα
APT43GA90B Image APT43GA90B Microsemi IGBT 900V 78A 337W TO-247 Έρευνα
APT44GA60BD30C Image APT44GA60BD30C Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO247 Έρευνα
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT43GA90BD30 Image APT43GA90BD30 Microsemi IGBT 900V 78A 337W TO247 Έρευνα
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 Έρευνα
APT43F60L Image APT43F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 Έρευνα
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Έρευνα
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 Έρευνα
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Έρευνα
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Έρευνα
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Έρευνα

Latest Ειδήσεις