Το APT46GA90JD40 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT46GA90JD40, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT46GA90JD40 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT46GA90JD40 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APT46GA90JD40
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APT46GA90JD40
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- IGBT 900V 87A 284W SOT-227
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 45682 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APT46GA90JD40.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 900V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 3.1V @ 15V, 47A |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | ISOTOP® |
| Σειρά: | POWER MOS 8™ |
| Ισχύς - Max: | 284W |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC θερμίστορ: | No |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 29 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce: | 4.17nF @ 25V |
| Εισαγωγή: | Standard |
| IGBT Τύπος: | PT |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT Module PT Single 900V 87A 284W Chassis Mount ISOTOP® |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 350µA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 87A |
| Διαμόρφωση: | Single |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APT46GA90JD40
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | Έρευνα |
 |
APT47GA60JD40 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 87A 283W SOT-227 | Έρευνα |
|
APT47N65BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | Έρευνα |
 |
APT48M80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 | Έρευνα |
 |
APT45GP120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | Έρευνα |
 |
APT45M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT45GR65B | Microsemi | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | Έρευνα |
|
APT47F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Έρευνα |
 |
APT47N60SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK | Έρευνα |
 |
APT45GR65B2DU30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Έρευνα |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Έρευνα |
|
APT47M60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT47N60BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | Έρευνα |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Έρευνα |
|
APT47N65SCS3G | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | Έρευνα |
 |
APT45GP120JDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Έρευνα |
|
APT45GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Έρευνα |
|
APT4F120K | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 | Έρευνα |
|
APT44GA60BD30C | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO247 | Έρευνα |
|
APT48M80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS