Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT45GR65BSCD10
APT45GR65BSCD10
Αριθμός εξαρτήματος:
APT45GR65BSCD10
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
47214 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT45GR65BSCD10.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT45GR65BSCD10 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT45GR65BSCD10, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT45GR65BSCD10 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT45GR65BSCD10 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 45A
Test Condition:433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:15ns/100ns
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247
Σειρά:-
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):80ns
Ισχύς - Max:543W
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:NPT
πύλη Χρέωση:203nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):224A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):118A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT45GR65BSCD10

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT45GP120B2DQ2G Image APT45GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 113A 625W TMAX Έρευνα
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 Έρευνα
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Έρευνα
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Έρευνα
APT44GA60BD30C Image APT44GA60BD30C Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO247 Έρευνα
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 Έρευνα
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Έρευνα
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Έρευνα
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Έρευνα
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Έρευνα
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Έρευνα
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 Έρευνα
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Έρευνα
APT44GA60BD30 Image APT44GA60BD30 Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 Έρευνα
APT44GA60B Image APT44GA60B Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 Έρευνα
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Έρευνα
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Έρευνα
APT44F80L Image APT44F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 Έρευνα

Latest Ειδήσεις