Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT47M60J
APT47M60J
APT47M60J
Αριθμός εξαρτήματος:
APT47M60J
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
21080 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APT47M60J.pdf2.APT47M60J.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT47M60J είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT47M60J, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT47M60J μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT47M60J με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:ISOTOP®
Σειρά:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 33A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):540W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-227-4, miniBLOC
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Chassis Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:13190pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:330nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):600V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 600V 49A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:49A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT47M60J

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 Έρευνα
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 Έρευνα
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Έρευνα
APT4M120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 Έρευνα
APT5010B2FLLG Image APT5010B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Έρευνα
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 Έρευνα
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Έρευνα
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Έρευνα
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Έρευνα
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Έρευνα
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX Έρευνα
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Έρευνα
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Έρευνα
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Έρευνα
APT5010B2LLG Image APT5010B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Έρευνα
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Έρευνα
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Έρευνα

Latest Ειδήσεις