Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT4M120K
APT4M120K
Αριθμός εξαρτήματος:
APT4M120K
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
40187 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT4M120K.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT4M120K είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT4M120K, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT4M120K μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT4M120K με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220 [K]
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4 Ohm @ 2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):225W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3
Αλλα ονόματα:APT4M120KMI
APT4M120KMI-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1385pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:43nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):1200V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 1200V 5A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT4M120K

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Έρευνα
APT5010B2FLLG Image APT5010B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Έρευνα
APT5010B2LLG Image APT5010B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Έρευνα
APT5010JVRU2 Image APT5010JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 Έρευνα
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Έρευνα
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX Έρευνα
APT5010JLLU2 Image APT5010JLLU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 Έρευνα
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Έρευνα
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 Έρευνα
APT5010JLLU3 Image APT5010JLLU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 Έρευνα
APT5012JN Microsemi MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP Έρευνα
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Έρευνα
APT5010LFLLG Image APT5010LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 Έρευνα
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 Έρευνα
APT5010JVRU3 Image APT5010JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 Έρευνα
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Έρευνα
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Έρευνα
APT5014B2VRG Microsemi MOSFET N-CH 500V T-MAX Έρευνα
APT5010LLLG Image APT5010LLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 Έρευνα
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις