APT45GR65BSCD10 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APT45GR65BSCD10, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APT45GR65BSCD10 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APT45GR65BSCD10 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APT45GR65BSCD10
- Modello di prodotti:
- APT45GR65BSCD10
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47214 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT45GR65BSCD10.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 650V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.4V @ 15V, 45A |
| Condizione di test: | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 15ns/100ns |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 80ns |
| Potenza - Max: | 543W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 203nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 224A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 118A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT45GR65BSCD10
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | Inchiesta |
 |
APT47GA60JD40 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 87A 283W SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT47N60SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK | Inchiesta |
 |
APT47N65BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | Inchiesta |
|
APT44GA60BD30C | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO247 | Inchiesta |
|
APT45GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | Inchiesta |
|
APT47F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT47N60BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | Inchiesta |
|
APT47M60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT45GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT46GA90JD40 | Microsemi | IGBT 900V 87A 284W SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT45GR65SSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
|
APT45GR65B2DU30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
|
APT45GR65B | Microsemi | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | Inchiesta |
|
APT45GP120JDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Inchiesta |
|
APT44GA60BD30 | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | Inchiesta |
|
APT44GA60B | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | Inchiesta |
|
APT47N65SCS3G | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | Inchiesta |
|
APT45M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT44F80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione
- Sotto il punto aereo dell'IA, i due principali giganti dei chip non sono "forti": distruggere i soldi per rompere la partita, scommettere sulle battaglie della squadra del 2025