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APT44GA60BD30C
- Modello di prodotti:
- APT44GA60BD30C
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 78A 337W TO247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 42888 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT44GA60BD30C.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 1.6V @ 15V, 26A |
| Condizione di test: | 400V, 26A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 16ns/102ns |
| di scambio energetico: | 409µJ (on), 450µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Potenza - Max: | 337W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 128nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 130A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 78A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT44GA60BD30C
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120JDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT45GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | Inchiesta |
|
APT45GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT43M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | Inchiesta |
|
APT44GA60B | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | Inchiesta |
|
APT44F80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT45GR65BSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
 |
APT45GP120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | Inchiesta |
 |
APT45M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
|
APT45GR65B2DU30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
|
APT44GA60BD30 | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | Inchiesta |
|
APT44F80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX | Inchiesta |
|
APT43M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | Inchiesta |
|
APT43F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | Inchiesta |
|
APT46GA90JD40 | Microsemi | IGBT 900V 87A 284W SOT-227 | Inchiesta |
|
APT43GA90BD30 | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO247 | Inchiesta |
|
APT43F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | Inchiesta |
|
APT43GA90B | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO-247 | Inchiesta |
|
APT45GR65B | Microsemi | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | Inchiesta |
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