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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT45GR65BSCD10
APT45GR65BSCD10
Modelo do Produto:
APT45GR65BSCD10
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
47214 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
APT45GR65BSCD10.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.4V @ 15V, 45A
Condição de teste:433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:15ns/100ns
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):80ns
Power - Max:543W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
portão de carga:203nC
Descrição detalhada:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247
Atual - Collector Pulsada (ICM):224A
Atual - Collector (Ic) (Max):118A
Email:[email protected]

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