GSID600A120S4B1
型號:
GSID600A120S4B1
製造商:
Global Power Technologies Group
描述:
SILICON IGBT MODULES
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
22764 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
GSID600A120S4B1.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.1V @ 15V, 600A
供應商設備封裝:Module
系列:Amp+™
功率 - 最大:3060W
封裝/箱體:Module
工作溫度:-40°C ~ 150°C
NTC熱敏電阻:Yes
安裝類型:Chassis Mount
製造商標準交貨期:8 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(連鎖商店)@的Vce:51nF @ 25V
輸入:Standard
IGBT類型:-
詳細說明:IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module
電流 - 集電極截止(最大):1mA
電流 - 集電極(Ic)(最大):1130A
組態:Half Bridge
Email:[email protected]

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