GSID600A120S4B1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GSID600A120S4B1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GSID600A120S4B1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GSID600A120S4B1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GSID600A120S4B1
- Part Number:
- GSID600A120S4B1
- Producent:
- Global Power Technologies Group
- Opis:
- SILICON IGBT MODULES
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22764 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GSID600A120S4B1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.1V @ 15V, 600A |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Module |
| Seria: | Amp+™ |
| Moc - Max: | 3060W |
| Package / Case: | Module |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C |
| Termistor NTC: | Yes |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 51nF @ 25V |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| szczegółowy opis: | IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 1mA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 1130A |
| Konfiguracja: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GSID600A120S4B1
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?