GSID600A120S4B1は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはGSID600A120S4B1のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
GSID600A120S4B1をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
GSID600A120S4B1
- 部品型番:
- GSID600A120S4B1
- 説明:
- SILICON IGBT MODULES
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 22764 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- GSID600A120S4B1.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 1200V |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大）: | 2.1V @ 15V, 600A |
| サプライヤデバイスパッケージ: | Module |
| シリーズ: | Amp+™ |
| 電力 - 最大: | 3060W |
| パッケージ/ケース: | Module |
| 運転温度: | -40°C ~ 150°C |
| NTCサーミスタ: | Yes |
| 装着タイプ: | Chassis Mount |
| メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（量Cies）@ Vceは: | 51nF @ 25V |
| 入力: | Standard |
| IGBTタイプ: | - |
| 詳細な説明: | IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 1mA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 1130A |
| コンフィギュレーション: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのGSID600A120S4B1
最新ニュース
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます
- Ruisaは新しいRA0シリーズUltra -Low Power Entry -Level MCUを発売しました
- Melexisは、完全な統合インダクタスイッチチップを起動します
- X-FABは、CMOSセンサーのパフォーマンスを向上させるためにイメージセンサーバックイルミネーションテクノロジーを導入します