GSID600A120S4B1
Modelo do Produto:
GSID600A120S4B1
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descrição:
SILICON IGBT MODULES
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
22764 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
GSID600A120S4B1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 600A
Embalagem do dispositivo fornecedor:Module
Série:Amp+™
Power - Max:3060W
Caixa / Gabinete:Module
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C
NTC Thermistor:Yes
Tipo de montagem:Chassis Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:51nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
Descrição detalhada:IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module
Atual - Collector Cutoff (Max):1mA
Atual - Collector (Ic) (Max):1130A
Configuração:Half Bridge
Email:[email protected]

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