GSID600A120S4B1
Artikelnummer:
GSID600A120S4B1
Hersteller:
Global Power Technologies Group
Beschreibung:
SILICON IGBT MODULES
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
22764 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
GSID600A120S4B1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 600A
Supplier Device-Gehäuse:Module
Serie:Amp+™
Leistung - max:3060W
Verpackung / Gehäuse:Module
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C
NTC-Thermistor:Yes
Befestigungsart:Chassis Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE:51nF @ 25V
Eingang:Standard
IGBT-Typ:-
detaillierte Beschreibung:IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module
Strom - Collector Cutoff (Max):1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max):1130A
Konfiguration:Half Bridge
Email:[email protected]

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