FGA50N100BNTD2
FGA50N100BNTD2
型號:
FGA50N100BNTD2
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
47363 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
FGA50N100BNTD2.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1000V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.9V @ 15V, 60A
測試條件:600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:34ns/243ns
開關能量:-
供應商設備封裝:TO-3P
系列:-
反向恢復時間(trr):75ns
功率 - 最大:156W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-3P-3, SC-65-3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:NPT and Trench
柵極電荷:257nC
詳細說明:IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P
電流 - 集電極脈衝(ICM):200A
電流 - 集電極(Ic)(最大):50A
Email:[email protected]

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