FGA50N100BNTD2
FGA50N100BNTD2
Artikelnummer:
FGA50N100BNTD2
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
47363 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
FGA50N100BNTD2.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1000V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.9V @ 15V, 60A
Testbedingung:600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:34ns/243ns
Schaltenergie:-
Supplier Device-Gehäuse:TO-3P
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):75ns
Leistung - max:156W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-3P-3, SC-65-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:NPT and Trench
Gate-Ladung:257nC
detaillierte Beschreibung:IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P
Strom - Collector Pulsed (Icm):200A
Strom - Kollektor (Ic) (max):50A
Email:[email protected]

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