FGA50T65SHD
FGA50T65SHD
Artikelnummer:
FGA50T65SHD
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
50051 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
FGA50T65SHD.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Testbedingung:400V, 50A, 6 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:22.4ns/73.6ns
Schaltenergie:1.28mJ (on), 384µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-3PN
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):34.6ns
Leistung - max:319W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-3P-3, SC-65-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Gate-Ladung:87nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Trench Field Stop 650V 100A 319W Through Hole TO-3PN
Strom - Collector Pulsed (Icm):150A
Strom - Kollektor (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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