FGA50N100BNTD2
FGA50N100BNTD2
Modello di prodotti:
FGA50N100BNTD2
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
47363 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FGA50N100BNTD2.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1000V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.9V @ 15V, 60A
Condizione di test:600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:34ns/243ns
di scambio energetico:-
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):75ns
Potenza - Max:156W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT and Trench
carica gate:257nC
Descrizione dettagliata:IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P
Corrente - collettore Pulsed (Icm):200A
Corrente - collettore (Ic) (max):50A
Email:[email protected]

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