FGA50N100BNTD2
FGA50N100BNTD2
제품 모델:
FGA50N100BNTD2
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
47363 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
FGA50N100BNTD2.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):1000V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):2.9V @ 15V, 60A
시험 조건:600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:34ns/243ns
에너지 전환:-
제조업체 장치 패키지:TO-3P
연속:-
역 회복 시간 (trr):75ns
전력 - 최대:156W
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-3P-3, SC-65-3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 유형:Standard
IGBT 유형:NPT and Trench
게이트 충전:257nC
상세 설명:IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):200A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):50A
Email:[email protected]

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