FGA50N100BNTD2
FGA50N100BNTD2
Modelo do Produto:
FGA50N100BNTD2
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
47363 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FGA50N100BNTD2.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1000V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.9V @ 15V, 60A
Condição de teste:600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:34ns/243ns
Alternando Energia:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):75ns
Power - Max:156W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT and Trench
portão de carga:257nC
Descrição detalhada:IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P
Atual - Collector Pulsada (ICM):200A
Atual - Collector (Ic) (Max):50A
Email:[email protected]

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