IPP023NE7N3 G
IPP023NE7N3 G
Modèle de produit:
IPP023NE7N3 G
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
54005 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IPP023NE7N3 G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Test:14400pF @ 37.5V
Tension - Ventilation:-
Vgs (th) (Max) @ Id:2.3 mOhm @ 100A, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:OptiMOS™
État RoHS:Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120A (Tc)
Polarisation:TO-220-3
Autres noms:IPP023NE7N3 GCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IPP023NE7N3 G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:206nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:3.8V @ 273µA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:75V
Ratio de capacité:300W (Tc)
Email:[email protected]

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