IPP023NE7N3 G er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for IPP023NE7N3 G, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for IPP023NE7N3 G via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb IPP023NE7N3 G med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
IPP023NE7N3 G
- Varenummer:
- IPP023NE7N3 G
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO220
- Blyfri status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antal:
- 54005 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- IPP023NE7N3 G.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Spænding - Test: | 14400pF @ 37.5V |
| Spænding - Opdeling: | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RoHS Status: | Cut Tape (CT) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 120A (Tc) |
| Polarisering: | TO-220-3 |
| Andre navne: | IPP023NE7N3 GCT |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Producentens varenummer: | IPP023NE7N3 G |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 206nC @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.8V @ 273µA |
| FET-funktion: | N-Channel |
| Udvidet beskrivelse: | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | - |
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 75V |
| Kapacitansforhold: | 300W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til IPP023NE7N3 G
Laast News
- HBM -produktionskapacitet er udelukket, DRAM -hukommelse kan være mangelvare i andet halvår
- Wallstifter slutter, HBM eller får dram til at stige igen
- AI mobiltelefon og pc -udvidelse efterspørgsel, global halvlederfremstilling af industrien forbedring
- Forstå behovene hos ADAS og Cabin Monitoring Systems for Network Security Image Sensors
- Det ryktes, at Samsung og SK Hynix stoppede DDR3, og promoveringstilbudet steg med 20 %
- Melexis frigav MLX90427: linjekontrol til nyt valg, sikker, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport annoncerede, og priserne på kobberpriserne overføres til IC -industrien
- Moels Micro Electronics har oprettet et nyt kontorer i Taiwan, Kina for at udvide forretningsområdet
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Den første kvartals økonomiske rapport fra SEF Semiconductor (ST) falder, og efterspørgslen efter biler er aftaget
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Lokal moden chipvolumen, samsung nand flash hukommelsesproduktionskapacitet nær belastning