IPP023NE7N3 G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IPP023NE7N3 G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IPP023NE7N3 G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPP023NE7N3 G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
IPP023NE7N3 G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPP023NE7N3 G
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO220
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 54005 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IPP023NE7N3 G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 14400pF @ 37.5V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | OptiMOS™ |
| สถานะ RoHS: | Cut Tape (CT) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 120A (Tc) |
| โพลาไรซ์: | TO-220-3 |
| ชื่ออื่น: | IPP023NE7N3 GCT |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPP023NE7N3 G |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 206nC @ 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 3.8V @ 273µA |
| คุณสมบัติ FET: | N-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 75V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | 300W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPP023NE7N3 G
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด