IPP023NE7N3 G
IPP023NE7N3 G
部品型番:
IPP023NE7N3 G
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
54005 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
IPP023NE7N3 G.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
電圧 - テスト:14400pF @ 37.5V
電圧 - ブレークダウン:-
同上@ VGS(TH)(最大):2.3 mOhm @ 100A, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:OptiMOS™
RoHSステータス:Cut Tape (CT)
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):120A (Tc)
偏光:TO-220-3
他の名前:IPP023NE7N3 GCT
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:IPP023NE7N3 G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:206nC @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:3.8V @ 273µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole
ソース電圧(VDSS)にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 75V 120A TO220
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):75V
静電容量比:300W (Tc)
Email:[email protected]

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