IPP023NE7N3 G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IPP023NE7N3 G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IPP023NE7N3 G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IPP023NE7N3 G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IPP023NE7N3 G
- رقم القطعة:
- IPP023NE7N3 G
- وصف:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO220
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54005 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IPP023NE7N3 G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 14400pF @ 37.5V |
| الجهد - انهيار: | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| بنفايات الحالة: | Cut Tape (CT) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 120A (Tc) |
| الاستقطاب: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | IPP023NE7N3 GCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPP023NE7N3 G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 206nC @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.8V @ 273µA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 75V |
| نسبة السعة: | 300W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPP023NE7N3 G
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل