IPP023NE7N3 G
IPP023NE7N3 G
Número de pieza:
IPP023NE7N3 G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
54005 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IPP023NE7N3 G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Voltaje - Prueba:14400pF @ 37.5V
Tensión - Desglose:-
VGS (th) (Max) @Id:2.3 mOhm @ 100A, 10V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:OptiMOS™
Estado RoHS:Cut Tape (CT)
RDS (Max) @Id, Vgs:120A (Tc)
Polarización:TO-220-3
Otros nombres:IPP023NE7N3 GCT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPP023NE7N3 G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:206nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.8V @ 273µA
Característica de FET:N-Channel
Descripción ampliada:N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:-
Descripción:MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:75V
relación de capacidades:300W (Tc)
Email:[email protected]

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