SI3451DV-T1-E3
SI3451DV-T1-E3
Số Phần:
SI3451DV-T1-E3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
58310 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
SI3451DV-T1-E3.pdf

Giới thiệu

SI3451DV-T1-E3 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho SI3451DV-T1-E3, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI3451DV-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI3451DV-T1-E3 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±12V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:6-TSOP
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vài cái tên khác:SI3451DV-T1-E3TR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:5.1nC @ 5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
miêu tả cụ thể:P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:2.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận